Enchufe recto f5-rojo general y luz led bicolor verde
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Modelo: two-color led light
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En el proceso de fabricación de chips LED, ¿qué procesos tienen un impacto más importante en su rendimiento optoelectrónico?
En términos generales, una vez completada la producción epitaxial de LED, se han finalizado sus principales propiedades eléctricas y la fabricación del chip no cambia la naturaleza de su producción central, pero las condiciones inadecuadas durante el proceso de recubrimiento y aleación harán que algunos parámetros eléctricos sean deficientes. . Por ejemplo, una temperatura de aleación alta o baja provocará un contacto óhmico deficiente del diodo emisor de luz. Un contacto óhmico deficiente es la razón principal de la alta caída de voltaje directo VF en la fabricación de chips. Después del corte, si se realizan algunos procesos de grabado en el borde del chip, será mejor mejorar la fuga inversa del diodo emisor de luz en línea del chip. Esto se debe a que después de cortar con una hoja de disco de diamante, quedarán más residuos y polvo en el borde de la viruta. Si estos están pegados a la unión PN del chip LED, causarán fugas e incluso averías. Además, si el fotorresistente de la superficie del chip no se despega limpiamente, provocará una soldadura difícil y falsa en la parte frontal. Si está en la parte posterior, también provocará una caída de voltaje alta. En el proceso de producción de chips, la intensidad de la luz se puede aumentar raspando la superficie y dividiéndola en una tira de luz LED de estructura trapezoidal invertida.
Origin: Guangdong | Export or not: Yes | Order No.: 12458794 | |||
Brand: XiGe | Article No.: 5897619 | Model: 1206 | |||
Size:1206 | Power: 0.5 (W) | Color rendering index: 80 | |||
Luminous flux: 10 (LM) | Forward voltage: 12 (V) | Reverse voltage: 12 (V) | |||
ESD:12(V) | Rated current: 10 (a) | Chip brand: San'an | |||
Chip size: 5 (MIL) | Phosphor brand: customizable | Glue brand: customizable | |||
Wire material: gold wire | Bracket material: Copper | Luminous angle: 15 (°) | |||
Luminous efficiency: 100 (LM / W) | Thermal resistance: ≤ 50 (° / W) | Maximum allowable junction temperature: 100 (°) | |||
Voltage temperature coefficient: 5 (MV / ℃) | 1000 hours conventional aging: 85% | 6000 hours conventional aging: 20% | |||
Lm-80 test passed: Yes | Color temperature range: 10 (k) | Cross border export source: Yes |
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